9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS2KHE3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS2KHE3/52T参考价格为0.384美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS2KHE3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA。您可以下载RS2KHE3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS2K-E3/52T是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计为与DO-214AA、SMB包装箱一起使用，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-214AB（SMB），速度设计为快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.3V@1.5A，该器件提供800V电压直流反向Vr Max，该器件具有1.5A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为17pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RS2K-E3/5BT是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA，包括1.3V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AA（SMB），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为500ns，除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
RS2KF，电路图由东芝/VISHAY制造。RS2KF在SMAF封装中提供，是IC芯片的一部分。
