9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP10A-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP10A-E3/73参考价格为0.456美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP10A-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL。您可以下载EGP10A-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP10A-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.011711盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为22pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
EGP10A是DIODE GEN PURP 50V 1A DO41，包括50 V Vr反向电压，它们设计用于在950 mV@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压DC反向Vr Max，提供0.95 V等Vf正向电压特性，单位重量设计用于0.008642盎司，以及DO-41供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备在50ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，Pd功耗为2.5W，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结合范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为1A，配置为单一。
EGP.2M.319.XLN带电路图，更多EGP.2M0.319.XLN信息请联系技术支持团队。
