9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP10B-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP10B-E3/73参考价格为0.404美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP10B-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL。您可以下载EGP10B-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如EGP10B-E3/73价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
EGP10B-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如EGP10B-E3/73，单位重量设计为0.011711盎司，以及通孔安装样式，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备采用DO-204AL（DO-41）供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为22pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为100 V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是1A，并且最大浪涌电流是30A，并且恢复时间是50ns。
EGP10B是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括100V Vr反向电压，它们设计为在950mV@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压DC反向Vr Max，提供0.95 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.008642盎司，以及DO-41供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备在50ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，Pd功耗为2.5W，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结合范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@100V，平均整流电流Io为1A，配置为单一。
EGP10A-TP带有电路图，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在5μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有DO-41供应商设备包，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
