9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS3GHE3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS3GHE3/57T参考价格为1.908美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS3GHE3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB。您可以下载RS3GHE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS3G-E3/9AT是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了RS3G-E3/37T中使用的零件别名，该RS3G-E3/17T提供单位重量功能，例如0.010582盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.3V@2.5A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为44pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，2.5A时Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为150ns。
RS3G-E3/57T是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB，包括1.3V@2.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下工作，Vf正向电压如数据表注释所示，用于1.3 V，提供单位重量功能，如0.007408盎司。供应商设备包设计为在DO-214AB（SMC）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作150ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为150 ns，该设备采用RS3G-E3/9AT零件别名，该设备具有切割胶带（CT）替代包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-55C，最大浪涌电流为100 A，其最大工作温度范围为+150 C，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@400V，电流平均整流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为44pF@4V，1MHz。
RS3G-E3/5T，带有VISHAY制造的电路图。RS3G-E3/5T采用DO-214AB封装，是IC芯片的一部分。
