9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS3JHE3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS3JHE3/57T参考价格为0.492美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS3JHE3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB。您可以下载RS3JHE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS3J-E3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了RS3J-E3/57T中使用的零件别名，该RS3J-E1/57T提供单位重量功能，例如0.010582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AB SMC包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电压正向Vf Max If为1.3V@2.5A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为34pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，2.5A时Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为600V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为250ns。
RS3J-E3/57T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括1.3V@2.5A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下工作，则正向电压如数据表注释所示，用于1.3V，提供单位重量功能，如0.007408盎司。供应商设备包设计用于DO-214AB（SMC），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作250ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为250 ns，该设备采用RS3J-E3/9AT零件别名，该设备具有切割胶带（CT）替代包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-55C，最大浪涌电流为100 A，其最大工作温度范围为+150 C，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@600V，平均整流电流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为34pF@4V，1MHz。
RS3JF，电路图由东芝/VISHAY制造。RS3JF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
