9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UG12JT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UG12JT-E3/45参考价格为0.53美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UG12JT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC。您可以下载UG12JT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UG12HT-E3/45是DIODE GEN PURP 500V 12A TO220AC，包括UGx12xT系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220AC，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为30μa@500V，电压正向Vf Max If为1.75V@12A，电压直流反向Vr Max为500V，电流平均整流Io为12A，反向恢复时间trr为50ns，工作温度结范围为150°C（最大值），最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.75 V，Vr反向电压为500 V，Ir反向电流为30 uA，如果正向电流为12 A，最大浪涌电流为135 A，恢复时间为50ns。
UG12HTHE3/45是DIODE GEN PURP 500V 12A TO220AC，包括1.75V@12A电压正向Vf Max。如果设计为在500V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于UGx12xT，以及50ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-220-2，其工作温度结范围为150°C（最大值），装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为30μa@500V，电流平均整流Io为12A。
UG-12D25-A，带有LG制造的电路图。UG-12D25-A采用LCD封装，是IC芯片的一部分。
