9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS33HE3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS33HE3/9AT参考价格$3.748。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS33HE3/9AT封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB。您可以下载SS33HE3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS33-E3/9AT是DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB，包括SS3x系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供零件别名功能，如SS33-E3/57T，单位重量设计为0.010582盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作DO-214AB，SMC包装箱。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有DO-214AB（SMC）供应商器件封装，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@30V，电压正向Vf Max If为500mV@3A，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为3A，其工作温度结范围为-55°C~125°C，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.5 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为3 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
SS33HE3/57T是DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB，包括500mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在30V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，SMC封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~125°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有500μa@30V的反向漏电Vr，电流平均整流Io为3A。
SS33-E3/9CT，带有VISHAY制造的电路图。SS33-E3/9CT采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
