9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的150KR20A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。150KR20A参考价格37.82227美元。GeneSiC半导体150KR20A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA。您可以下载150KR20A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如150KR20A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
150KR100A是DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA，包括150KR系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-205AA、DO-8、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-205A a（DO-8），以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准的反向极性二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为24mA@1000V，该器件的正向电压Vf Max为1.33V@150A。如果该器件的反向电压Vr Max为1000V（1kV），平均整流电流Io为150A，其工作温度结范围为-40°C ~ 200°C。
150K60A是DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA，包括1.33V@150A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-205AA（DO-8），提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），螺柱组件外壳，其工作温度范围为-40°C~200°C。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备为标准二极管类型，该设备具有35mA@600V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为150A。
150K80A是DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA，包括150A电流平均整流Io，它们设计为在32A@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C ~ 200°C，以及DO-205AA、DO-8、，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-205AA（DO-8）供应商设备包中提供，该设备具有800V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.33V@150A。
