9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N4588R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4588R参考价格为37.82227美元。GeneSiC半导体1N4588R封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA。您可以下载1N4588R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4588是DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA，包括散装包装，它们设计用于DO-205AA、DO-8、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-205AA（DO-8），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作9.5mA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.5V@150A，该设备提供200V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有150A的平均整流电流Io，其工作温度结范围为-60°C~200°C。
1N4587是DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AA，包括100V电压DC反向Vr Max，它们设计用于DO-205AA（DO-8）供应商设备包，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供散装等包装功能，包装箱设计用于DO-20 5AA，DO-8，螺柱，它具有-60°C~200°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，二极管类型为标准型，该器件提供9.5mA@100V电流反向泄漏Vr，该器件具有150A电流平均整流Io。
1N4587R是DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AA，包括150A电流平均整流Io，它们设计为在9.5mA@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-60°C ~ 200°C，以及DO-205AA、DO-8、，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-205AA（DO-8）供应商设备包中提供，该设备具有100V的电压DC反向Vr最大值。
