9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYW29-200HE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW29-2000HE3/45参考价格为0.556美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYW29-200HE3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC。您可以下载BYW29-2000HE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYW29-200-E3/45是DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1.3V@20A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为45pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压在20 A时为1.3 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为25 ns。
BYW29-200G是DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2，包括200V Vr反向电压，它们设计用于在1.3V@20A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供了20 a时的1.3V正向电压特性，单位重量设计用于0.211644盎司，以及to-220-2供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列是SWITCHMODE？，该设备以35ns反向恢复时间trr提供，该设备具有35ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为管，包装箱为TO-220-2，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为100 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为16 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为8A，配置为单一。
BYW29-200E是VISHAY制造的DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC。BYW29-200E提供TO-220-2封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管GEN PURP 200V 8A TO220AC。
