9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N4590R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4590R参考价格为37.82227美元。GeneSiC半导体1N4590R封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA。您可以下载1N4590R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N459_T50R，带引脚细节，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@175V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有500mA电流平均整流Io，电容Vr F为6pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N459是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），DO-35，轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值）。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有25nA@175V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为6pF@0V，1MHz。
1N4590是DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA，包括150A电流平均整流Io，它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作9mA，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-60°C~200°C，以及DO-205AA、DO-8，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-205AA（DO-8）供应商设备包中提供，该设备具有400V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.5V@150A。
