9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N4593R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4593R参考价格为37.82227美元。GeneSiC半导体1N4593R封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA。您可以下载1N4593R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4592是DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA，包括1N4592系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-205AA、DO-8、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在600V时为6.5mA，该器件在150A电压正向Vf Max时为1.5V。如果该器件具有600V电压反向Vr Max，且平均整流电流Io为150A，则其工作温度结范围为-60°C~200°C。
1N4592R是DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA，包括1.5V@150A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-205AA（DO-8），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计用于1N4592，以及散装包装，该设备也可作为DO-205AA、DO-8、螺柱封装外壳使用，其工作温度结范围为-60°C~200°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为6.5mA@600V，电流平均整流Io为150A。
1N4593是二极管GEN PURP 800V 150A DO205AA，包括150A电流平均整流Io，它们设计为在800V电流反向泄漏Vr下工作5.5mA，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-60°C~200°C，以及DO-205AA、DO-8，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，该系列为1N4593，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-205AA（DO-8）供应商设备包，电压DC反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为1.5V@150A。
