9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4933GP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4933GP参考价格为0.376美元。onsemi 1N4933GP包装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO41。您可以下载1N4933GP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4933G是DIODE GEN PURP 50V 1A DO41，包括1N4933系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装替代包装，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为300 ns。
1N4933GL-T是DIODE GEN PURP 50V 1A DO41，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为1A。
1N4933G-B是经过钝化的Vr/50V Io/1A大块玻璃整流器，包括单一配置，它们设计为在1A的情况下工作。如果数据表注释中显示正向电流，Ir反向电流用于5 uA，其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在30 a下工作，其最小工作温度范围是-65 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为DO-41，该设备为散装包装，该设备具有产品快速恢复整流器，恢复时间为200纳秒，单位重量为0.010935盎司，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为50 V。
