9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB12HTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB12HTHE3/45参考价格0.6美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UGB12HTHE3/45包装/规格：DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB。您可以下载UGB12HTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UGB12HT-E3/81是DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB，包括UGx12xT系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.063493盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备采用单双阴极配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为30μa@500V，电压正向Vf Max If为1.75V@12A，电压直流反向Vr Max为500V，电流平均整流Io为12A，反向恢复时间trr为50ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.75 V，Vr反向电压为500 V，Ir反向电流为30 uA，如果正向电流为12 A，最大浪涌电流为135A，恢复时间为50ns。
UGB10DCT-E3/81是二极管阵列GP 200V 5A TO263AB，包括200V Vr反向电压，设计用于1.25 V Vf正向电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供25纳秒等恢复时间功能，产品设计用于超快恢复整流器，以及卷筒包装，该装置也可用作TO-263AB包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，器件的最大浪涌电流为55 a，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为10 a，则配置为双公共阴极。
UGB10DCT，带有VISHAY制造的电路图。UGB10DCT采用SOT-263封装，是二极管、整流器阵列的一部分。
