9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP30D-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP30D-E3/73参考价格为0.59美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP30D-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A GP20。您可以下载EGP30D-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP30D是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012699盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于DO-201AD、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，正向电压Vf Max If为950mV@3A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为95pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，Pd功耗为6.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为50ns。
EGP30D-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A GP20，包括200 V Vr反向电压，它们设计为以950mV@3A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于200V的电压直流反向Vr Max，该200V提供了0.95 V（2 a时）的正向电压特性，单位重量设计为0.035627盎司，以及GP20供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-201AA、DO-27、轴向，其工作温度结合范围为-65°C～150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
EGP30CHE3/73是DIODE GEN PURP 150V 3A GP20，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-201AA、DO-27、，轴向包装盒，该设备也可以用作磁带盒（TB）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以SUPERECTIFIERR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为GP20，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为950mV@3A。
