9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-10ETF12FPPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-10ETF12FPPBF参考价格1.286美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-10ETF12FPPBF封装/规格:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP。您可以下载VS-10ETF12FPPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-10ETF10STRRPBF带有引脚细节,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB包装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备包功能,如to-263AA(D2Pak),速度设计用于快速恢复=20mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作100μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.33V@10A,该器件提供1000V(1kV)电压DC反向电压Vr Max,该器件具有10A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为310ns,其工作温度结范围为-40°C~150°C。
带有用户指南的VS-10ETF10STRR-M3,包括1.33V@10A正向电压Vf Max。如果设计为在1000V(1kV)直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为310ns,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒,其工作温度结范围为-40°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为100μa@1000V,并且电流平均整流Io为10A。
带有电路图的VS-10ETF12FP-M3,包括10A电流平均整流Io,它们设计为在100μa@1000V电流反向泄漏Vr的情况下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如通孔,其工作温度结范围为-40°C~150°C,以及to-220-2全封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,反向恢复时间trr为310ns,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的TO-220FP,电压DC反向Vr Max为1200V(1.2kV),电压正向Vf Max If为1.33V@10A。