9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-10ETS12FPPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-10ETS12FPPBF参考价格为0.53美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-10ETS12FPPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP。您可以下载VS-10ETS12FPPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-10ETS10STRRPBF带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如to-263AA（D2Pak），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@10A，该设备提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有10A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
VS-10ETS10STRR-M3带用户指南，包括1.1V@10A正向电压Vf Max。如果设计为在1000V（1kV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有50μa@1000V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为10A。
带有电路图的VS-10ETS12FP-M3，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型的功能，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-220-2全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备采用TO-220-2全包供应商设备包，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@10A。
