9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4153TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4153TR参考价格为0.266美元。onsemi 1N4153TR包装/规格：DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35。您可以下载1N4153TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4153_T50R，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作50nA@50V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为880mV@20mA，该设备提供75V电压DC反向Vr Max，该设备具有200mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N4153-1是DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35，包括880mV@20mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50nA@50V，电流平均整流Io为150mA。
带有电路图的1N4153-1206是IC芯片的一部分。
