9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SSB43LHE3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SSB43LHE3/5BT参考价格为0.342美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SSB43LHE3/5BT封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AA。您可以下载SSB43LHE3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SSB43L-E3/5BT是DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AA，包括肖特基整流器产品，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SSB43L-E3/52T，提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AA（SMB）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为600μa@30V，电压正向Vf Max If为450mV@4A，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为4A，其工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为0.45 V，Ir反向电流为600 uA，If正向电流为4 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
SSB43L-E3/52T是DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AA，包括30 V Vrm重复反向电压，它们设计为在450 V@4A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.45 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.006349盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-214AA（SMB）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有零件别名的SSB43L-E3/5BT，封装为Digi-ReelR替代封装，封装盒为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为600 uA，Ifsm正向浪涌电流为100 A，If正向电流为4 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为600μA@30V，电流平均整流Io为4A，配置为单一。
SSB43LHE3/52T是二极管肖特基30V 4A DO214AA，包括4A电流平均整流Io，它们设计为在600μa@30V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-214AA，SMB包装箱，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-214AA（SMB）供应商设备包中提供，该设备具有30V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为450mV@4A。
