9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4006GP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4006GP价格参考1.398美元。onsemi 1N4006GP包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO41。您可以下载1N4006GP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4006G是DIODE GEN PURP 800V 1A DO41，包括1N4006系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装类型设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A。
1N4006-G是DIODE GEN PURP 800V 1A DO41，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及DO-204AL、DO-41轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4006GL-T是DIODE GEN PURP 800V 1A DO41，包括8pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供2μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-41，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
