9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-30EPF04PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-30EPF04PBF参考价格$4.43。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-30EPF04PBF封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC。您可以下载VS-30EPF04PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-30EPF02PBF是DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于30EPF02PBF，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-247-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包是TO-247AC修改的，该设备以单一配置提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@200V，电压正向Vf Max If为1.41V@30A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为30A，反向恢复时间trr为160ns，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.41 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为30 A，最大浪涌电流为350A，恢复时间为160ns。
带有用户指南的VS-30EPF04-M3，包括1.41V@30A正向电压Vf Max。如果设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-247AC改进型的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有100μa@400V的反向漏电Vr，平均整流电流Io为30A。
带有电路图的VS-30EPF02-M3，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-247-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为60ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有TO-247AC修改的供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.41V@30A。
