9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S5JHE3/57T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S5JHE3/57T参考价格为3.596美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S5JHE3/57T封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB。您可以下载S5JHE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S5J-E3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB,包括标准回收整流器产品,它们设计用于胶带和卷轴(TR)交替包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.010582盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型,该设备也可以用作DO-214AB(SMC)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,正向电压Vf Max If为1.15V@5A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为5A,反向恢复时间trr为2.5μs,电容Vr F为40pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55℃~150℃,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为1.15 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为5 A,最大浪涌电流为100A,恢复时间为2500ns。
S5J-E3/57T是DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB,包括600 V Vr反向电压,设计用于在1.15V@5A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max,提供1.15 V正向电压特性,单位重量设计为0.010582盎司,以及DO-214AB(SMC)供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为2.5μs,该器件的恢复时间为2500 ns,该器件具有标准的产品恢复整流器,包装为切割胶带(CT)交替包装,包装箱为DO-214AB,SMC,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装样式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,它的最小工作温度范围为-55℃,最大浪涌电流为100 A,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为5 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μA@600V,平均整流电流Io为5A,配置为单一,电容Vr F为40pF@4V,1MHz。
S5JCTR带电路图,包括40pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于5A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于10μa@600V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C,该装置也可以用作DO-214AB、SMC包装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),该设备提供的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有供应商设备包的SMC(DO-214AB),直流反向电压Vr最大值为600V,正向电压Vf最大值为1.15V@5A。