9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP10F-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GP10F-E3/54参考价格为0.414美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP10F-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL。您可以下载GP10F-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GP10D-M3/54，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-204A L（DO-41），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
带有用户指南的GP10D-M3/73，包括1.1V@1A电压正向Vf最大值，如果设计用于200V电压直流反向Vr最大值，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了3μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）替代包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
GP10DHM3/73带电路图，包括8pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型的功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
