9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-40EPF12PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-40EPF12PBF参考价格$4.01。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-40EPF12PBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC。您可以下载VS-40EPF12PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-40EPF10PBF是DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247AC，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于40EPF10PBB，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-247-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商的设备包是TO-247AC修改的，该设备以单一配置提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.4V@40A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为40A，反向恢复时间trr为450ns，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为40 A，最大浪涌电流为475A，恢复时间为450ns。
带有用户指南的VS-40EPF12-M3，包括1.4V@40A电压正向Vf Max，如果设计为在1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于to-247AC改进型，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为450ns，该器件也可用作TO-247-2封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1200V，电流平均整流Io为40A。
带有电路图的VS-40EPF10-M3，包括40A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-247-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为450ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有TO-247AC改进的供应商设备包，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.4V@40A。
