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1N5395S-T是DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO41，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-41等供应商设备封装功能，速度设计用于标准恢复＞500ns、＞200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作5μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1.5A，该设备提供400V电压直流反向Vr Max，该设备具有1.5A的电流平均整流Io，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
1N5395-T是DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO15，包括1.1V@1.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-15的供应商设备包，该DO-15提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@400V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为1.5A，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
1N5395S是台湾半导体制造的“整流器1.5A”。1N5395S采用DO-41封装，是二极管、整流器-阵列的一部分，并支持“整流器1.5B、整流器1.5A、400V、SILASTIC整流器”。
