9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE10PG-E3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE10PG-E3/84A参考价格为0.432美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE10PG-E3/84A封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA。您可以下载SE10PG-E3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE10PD-M3/84A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于标准回收整流器产品。数据表中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供单位重量功能，如0.000847盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，它的工作温度范围为-55℃至+175℃，该设备也可以用作DO-220AA包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-220AA（SMP）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为780ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为0.96 V，Vr反向电压为200 V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是1A，并且最大浪涌电流是25A，并且恢复时间是780ns。
SE10PDHM3/85A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括1.05V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计为在eSMPR中工作，以及780ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A。
SE10PD-M3/85A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-220AA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为780ns，该设备采用eSMPR系列，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包为DO-220AA（SMP），电压直流反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A。
