9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB12HTHE3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB12HTHE3/81参考价格为0.552美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UGB12HTHE3/81包装/规格:DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB。您可以下载UGB12HTHE3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UGB12HT-E3/81是DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB,包括UGx12xT系列,它们设计用于超快速恢复整流器产品,包装如数据表说明所示,用于磁带和卷轴(TR),提供单位重量功能,如0.063493盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB封装盒,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为TO-263AB,该设备采用单双阴极配置,该设备速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为30μa@500V,电压正向Vf Max If为1.75V@12A,电压直流反向Vr Max为500V,电流平均整流Io为12A,反向恢复时间trr为50ns,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1.75 V,Vr反向电压为500 V,Ir反向电流为30 uA,如果正向电流为12 A,最大浪涌电流为135A,恢复时间为50ns。
UGB12HTHE3/45是DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB,包括1.75V@12A电压正向Vf Max。如果设计为在500V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于UGx12xT,以及50ns反向恢复时间trr,该装置也可以用作管替代包装包装。此外,封装外壳为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB,其工作温度结范围为-55°C~150°C,装置具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为30μa@500V,电流平均整流Io为12A。
UGB10DCT-E3/81是二极管阵列GP 200V 5A TO263AB,包括双共阴极配置,它们设计为在10 a下工作。如果数据表注释中显示了用于10 uA的正向电流、Ir反向电流,其最大工作温度范围为+150 C,最大浪涌电流设计为在55 a下工作,其最小工作温度范围是-40 C,该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外,包装箱为TO-263AB,该设备采用卷筒包装,该设备具有产品的超快恢复整流器,恢复时间为25 ns,单位重量为0.063493 oz,Vf正向电压为1.25 V,Vr反向电压为200 V。