9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVB1035G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NRVB1035G参考价格为2.124美元。onsemi NRVB1035G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2。您可以下载NRVB1035G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NRVB10100MFST1G，带引脚细节，包括MBR10100MFS系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起操作，数据表说明中显示了用于8-PowerTDFN、5引线的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，安装类型设计为在表面安装中工作，以及5-DFN、8-SO扁平引线（5x6）供应商设备封装，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为肖特基二极管，该器件提供100μA@100V电流反向泄漏Vr，该器件的正向电压Vf Max If为950mV@10A，直流反向电压Vr Max为100V，电流平均整流Io为10A，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为950 mV，Ir反向电流为13 mA，If正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为100 V，Ifsm正向浪涌电流为150 A。
带有用户指南的NRVB10100MFST3G，包括950mV@10A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于5-DFN、8-SO扁平导线（5x6）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于MBR10100MFS，除了磁带和卷轴（TR）交替封装外，该器件还可以用作8功率TDFN、5引线封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为100μa@100V，电流平均整流Io为10A。
NRVB0540T3G是二极管肖特基40V 500MA SOD123，包括500MA电流平均整流Io，设计用于在20μa@40V电流反向泄漏Vr下工作。二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及SOD-123封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，该系列为MBR0540，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的SOD-123，电压DC反向Vr Max为40V，电压正向Vf Max If为510mV@500mA。
