9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB12JTHE3/81，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB12JTHE3/81价格参考1.692美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UGB12JTHE3/81封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB。您可以下载UGB12JTHE3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UGB12JT-E3/81是DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB，包括UGx12xT系列，设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.063493盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备为单双阴极配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为30μa@600V，正向电压Vf Max If为1.75V@12A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为12A，反向恢复时间trr为50ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.75 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为30 uA，如果正向电流为12 A，最大浪涌电流为135A，恢复时间为50ns。
UGB12HTHE3/81是DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB，包括1.75V@12A电压正向Vf Max。如果它们设计为在500V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为30μa@500V，电流平均整流Io为12A。
UGB12JTHE3/45是二极管GEN PURP 600V 12A TO263AB，包括12A电流平均整流Io，设计用于在600V电流反向泄漏Vr下工作30μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可作为管替代包装包装使用。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备为UGx12xT系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为TO-263AB，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.75V@12A。
