9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-10ETF06PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-10ETF06PBF参考价格为0.644美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-10ETF06PBF封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC。您可以下载VS-10ETF06PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-10ETF06PPBF是DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，数据表注释中显示了用于10ETF06FPBF的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.090478盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-2全包装包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220AC全包，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，正向电压Vf Max If为1.2V@10A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为10A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为100 uA，If正向电流为10 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为145 ns。
带用户指南的VS-10ETF06FP-M3，包括1.2V@10A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220FP的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在200ns内运行，该器件也可以用作TO-220-2全封装外壳，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@200V，电流平均整流Io为10A。
带有电路图的VS-10ETF06-M3，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为200ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220AC，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.2V@10A。
