9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB5JTHE3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB5JTHE3/81价格参考1.844美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UGB5JTHE3/81封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB。您可以下载UGB5JTHE3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UGB5JT-E3/81是DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB,包括超快恢复整流器产品,它们设计用于带卷(TR)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.063493盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB、,该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外,该配置为单双阴极,该设备的快速恢复速度为200mA(Io),该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为30μa@600V,正向电压Vf Max If为1.75V@5A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为5A,反向恢复时间trr为50ns,其工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-55°C,Vf正向电压为1.75 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为30 uA,If正向电流为5 A,最大浪涌电流为65 A,恢复时间为50 ns。
UGB5JT-E3/45是DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB,包括600 V Vr反向电压,设计用于在1.75V@5A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max,提供1.75 V等正向电压特性,单位重量设计用于0.063493盎司,以及to-263AB供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为50ns,该设备以50ns恢复时间提供,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为管交替包装,包装箱为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55℃,最大浪涌电流为65 A,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为30 uA,如果正向电流为5 A,二极管类型为标准,反向泄漏电流Vr为30μA@600V,平均整流电流Io为5A,并且配置为单双阴极。
UGB5JTHE3/45是二极管GEN PURP 600V 5A TO263AB,包括5A电流平均整流Io,它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作30μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装型功能,如表面安装,其工作温度结范围为-55°C~150°C,以及to-263-3,D2Pak(2引线+标签),TO-263AB包装盒,该设备也可作为管替代包装包装使用。此外,反向恢复时间trr为50ns,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的TO-263AB,电压DC反向Vr Max为600V,电压正向Vf Max If为1.75V@5A。