9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-20ETF06PPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-20ETF06PPBF参考价格为1.724美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-20ETF06PPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP。您可以下载VS-20ETF06PPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-20ETF04STRRPBF是DIODE INPUT 20A 400V D2PAK，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如to-263（D2PAK）、，速度设计为在快速恢复=200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该设备也可以用作100μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.3V@20A，该设备提供400V电压直流反向Vr Max，该设备具有20A电流平均整流Io，反向恢复时间trr为60ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
带有用户指南的VS-20ETF04STR-M3，包括1.3V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263（D2Pak）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为160ns，以及备用包装包装，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@400V，电流平均整流Io为20A。
带有电路图的VS-20ETF06FP-M3，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-220-2全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为160ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有TO-220-2全套供应商设备包，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.67V@60A。
