9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-20ETF10PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-20ETF10PBF参考价格为0.376美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-20ETF10PBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP。您可以下载VS-20ETF10PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-20ETF10FP-M3，带引脚细节，包括管封装，设计用于to-220-2全封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-220FP，速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作100μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.31V@20A，该器件提供1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，该器件具有20A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为95ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
VS-20ETF10FPPBF是DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP，包括1.31V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC全包的供应商设备包，其提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为400ns，除了管封装外，该器件还可以用作TO-220-2全封装外壳，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电流平均整流Io为20A。
带有电路图的VS-20ETF10-M3，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为95ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220AC，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.3V@20A。
