9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-20ETS08BF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-20ETS08PBF参考价格为0.552美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-20ETS08PBF封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC。您可以下载VS-20ETS08BF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-20ETS08FPPBF是DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP，包括标准回收整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.090478盎司，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于to-220-2全包装，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC全包供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@20A，电压反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为20A，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为1000 uA，如果正向电流为20 A，最大浪涌电流为300 A。
VS-20ETS08FP-M3是DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP，包括1.1V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220-2全包装的供应商设备包，该包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及TO-220-2全包装包装箱，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有100μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为20A。
带有电路图的VS-20ETS08-M3，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在TO-220AC供应商设备包中提供，该设备具有800V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@20A。
