9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-20ETS12FPPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-20ETS12FPPBF参考价格为0.46美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-20ETS12FPPBF封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP。您可以下载VS-20ETS12FPPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如VS-20ETS12FPPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
VS-20ETS08STRPBF是DIODE INPUT 20A D2PAK，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于20ETS08STRRPBF的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.070548盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-263-3中工作，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，该设备也可用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB（D2PAK），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@20A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为20A，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为100 uA，If正向电流为20 A，最大浪涌电流为300 A。
VS-20ETS08STRR-M3，带有用户指南，包括1.1V@20A正向电压Vf Max。如果设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263（D2Pak）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装以及to-263-3中工作，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有100μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为20A。
带有电路图的VS-20ETS12FP-M3，包括20A电流平均整流Io，设计用于在100μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-220-2全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为95ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220FP，电压DC反向Vr Max为1200V（1.2kV），电压正向Vf Max If为1.3V@20A。
