9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-40EPF04PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-40EPF04PBF参考价格为0.264美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-40EPF04PBF封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 40A TO247AC。您可以下载VS-40EPF04PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-40EPF02PBF是DIODE GEN PURP 200V 40A TO247AC，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于40EPF02PBF，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-247-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商的设备包是TO-247AC修改的，该设备以单一配置提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μa@200V，电压正向Vf Max If为1.25V@40A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为40A，反向恢复时间trr为180ns，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为40 A，最大浪涌电流为475A，恢复时间为180ns。
VS-40EPF02-M3，带用户指南，包括1.25V@40A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-247AC改进型的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为180ns，该器件也可用作TO-247-2封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@200V，电流平均整流Io为40A。
带有电路图的VS-40EPF04-M3，包括40A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及to-247-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为180ns，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有TO-247AC修改的供应商设备包，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@40A。
