9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5400-E3/51，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5400-E3/51参考价格$0.5。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5400-E3/51包装/规格：DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD。您可以下载1N5400-E3/51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5400是DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）包装，数据表注释中显示了R0中使用的零件别名，R0提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.2V@3A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-65°C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为200 A。
1N5400-B是DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD，包括50V Vr反向电压，它们设计为在1V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压DC反向Vr Max，该50V提供了1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.038801盎司，以及DO-201AD供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为1N54，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有散装包装，包装箱为DO-201AD，轴向，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为200 A，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为50pF@4V，1MHz。
1N5400A，电路图由DIODE制造。1N5400A采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
