9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1B-E3/51T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1B-E3/51T参考价格$0.302。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1B-E3/51T封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC。您可以下载S1B-E3/51T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1BB-13-F是DIODE GEN PURP 100V 1A SMB，包括S1BB系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003280盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMB，该设备为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150°C；其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为3000ns。
带有用户指南的S1BBTR，包括1.1V@1A电压正向Vf最大值。如果设计为在100V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了SMB（DO-214AA）中使用的供应商设备包，该SMB提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
S1BB-E3，带有VISHAY制造的电路图。S1BB-E3采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
