9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP10CE-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP10CE-E3/54参考价格为5.168美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP10CE-E3/54包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL。您可以下载EGP10CE-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGP10C-E3/54是DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如EGP10C-E3/73，单位重量设计为0.011711盎司，以及通孔安装样式，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备采用DO-204AL（DO-41）供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为22pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为150 V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是1A，并且最大浪涌电流是30A，并且恢复时间是50ns。
EGP10C-E3/73是DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL，包括150 V Vr反向电压，它们设计为以950mV@1A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，提供0.95 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.011711盎司，以及DO-204AL（DO-41）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，零件别名为EGP10C-E3/54，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最低工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最高工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@150V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为22pF@4V，1MHz。
EGP10C是DIODE GEN PURP 150V 1A DO41，包括单一配置，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@150V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于1A，以及5μa Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为30 A，最小工作温度范围是-65℃，该设备有一个安装型通孔，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-65℃~150℃，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向、，包装为切割胶带（CT）交替包装，零件别名为EGP10C_NL，Pd功耗为2.5W，产品为超快恢复整流器，恢复时间为50ns，反向恢复时间trr为50ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-41，单位重量为0.008642 oz，Vf正向电压为0.95 V，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，Vr反向电压为150V。
