9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYWE29-100-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYWE29-100-E3/45参考价格为0.558美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYWE29-100-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC。您可以下载BYWE29-100-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYWB29-50-E3/81是DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.062435盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计为在to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管类型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电压正向Vf Max If为1.3V@20A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为25ns，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，20 A时Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为25 ns。
BYWB29-50HE3/81是DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB，包括1.3V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为25ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，并且电流平均整流Io为8A。
BYWB29-50HE3/45是DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可作为管替代包装包装使用。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.3V@20A。
