9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的BYW4200B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW4200B-TR参考价格为0.702美元。STMicroelectronics BYW4200B-TR封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK。您可以下载BYW4200B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BYW4200B-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BYW36-TR是DIODE AVLANCHE 600V 2A SOD57，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于SOD-57轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.1V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为200ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1 V（1 A），Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为200 ns。
BYW36-TAP是DIODE AVLANCHE 600V 2A SOD57，包括600 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，该600V提供1.1 V的正向电压特性，例如1 a时的1.1 V，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为200ns，该设备在200ns恢复时间内提供，该设备具有产品快速恢复整流器，包装为磁带盒（TB），包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
BYW36E，带有PH制造的电路图。BYW36E可在DO-35封装中获得，是IC芯片的一部分。
