9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4003-E3/53，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4003-E3/53参考价格$3.94。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4003-E3/53封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载1N4003-E3/53英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4003-B是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，提供通孔等安装类型功能，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-41供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A。
1N4003B-G是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于1N4003，以及散装备用包装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4003/54，带电路图，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-204AL（DO-41）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
