9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP02-35-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。GP02-35-E3/73参考价格为0.358美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP02-35-E3/73包装/规格:DIODE GEN PURP 3.5KV 250MA DO204。您可以下载GP02-35-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GP02-35-E3/54是DIODE GEN PURP 3.5KV 250MA DO204,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于胶带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.011711盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-204AL、DO-41、,轴向包装箱,该装置也可作为通孔安装型。此外,供应商设备包为DO-204AL(DO-41),该设备为单配置,该设备的标准恢复时间>500ns,速度>200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@3500V,电压正向Vf Max If为3V@1A,电压直流反向Vr Max为3500V(3.5kV),电流平均整流Io为250mA,反向恢复时间trr为2μs,其工作温度结范围为-65°C~175°C,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压在1A时为3 V,Vr反向电压为3500 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为0.25 A,最大浪涌电流为15A,恢复时间为2000ns。
带有用户指南的GP02-30-M3/54,包括3V@1A电压正向Vf最大值。如果设计为在3000V(3kV)电压直流反向Vr最大值下运行,则数据表说明中显示了用于DO-204AL(DO-41)的供应商设备包,该设备提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io)。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、,除了2μs反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带和卷轴(TR)替代包装。此外,封装外壳为DO-204AL,DO-41,轴向,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@3000V,电流平均整流Io为250mA,电容Vr F为3pF@4V,1MHz。
GP02-30-M3/73带有电路图,包括3pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计为在250mA电流平均整流Io下工作,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@3000V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计为在通孔中工作,其工作温度范围为-65°C~175°C,该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外,包装为磁带盒(TB)替代包装,该设备以2μs反向恢复时间trr提供,该设备具有自动AEC-Q101系列,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),供应商设备包装为DO-204AL(DO-41),电压直流反向Vr最大值为3000V(3kV),电压正向Vf最大值为3V@1A。