9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP50B-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP50B-E3/54参考价格0.19美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP50B-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 5A GP20。您可以下载EGP50B-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGP50AHE3/54是DIODE GEN PURP 50V 5A GP20，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于DO-201AA、DO-27、轴向的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于GP20，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，该器件提供950mV@5A电压正向Vf Max。如果，该器件具有50V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为95pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
EGP50AHE3/73是DIODE GEN PURP 50V 5A GP20，包括950mV@5A正向电压Vf Max。如果它们设计为在50V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于GP20的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计为在SUPERECTIFIERR中工作，以及50ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为DO-201AA、DO-27，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为95pF@4V，1MHz。
EGP50B，带有VISHAY制造的电路图。EGP50B在DO-201封装中提供，是二极管、整流器-单个的一部分。
