9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GB02SLT12-252，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GB02SLT12-252参考价格0.704美元。GeneSiC半导体GB02SLT12-252封装/规格：DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252。您可以下载GB02SLT12-252英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GB02SLT12-220是二极管肖特基1.2KV 2A TO220AC，包括GB02SLT22系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.081130盎司，安装方式设计用于通孔，以及to-220-2封装盒，该器件也可以用作SiC技术。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-220AC供应商器件包中提供，该器件的速度无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为50μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.8V@2A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为138pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，Pd功耗为42W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.8 V，Ir反向电流为8 uA，并且If正向电流为2A，Vrm重复反向电压为1200V，Ifsm正向浪涌电流为18A，trr反向恢复时间为17ns。
带用户指南的GB02SLT12-214，包括1.8V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AA中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如无恢复时间>500mA（Io），系列设计为在GB02SLT1 2中运行，以及0ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为50μa@1200V，电流平均整流Io为2A（DC），电容Vr F为131pF@1V，1MHz。
带电路图的GB02SLT06-214，请联系技术支持团队了解更多GB02SLTO6-214信息。
