9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-12TQ045STRRPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-12TQ045STRRPBF参考价格$9.04。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-12TQ045STRRPBF封装/规格:DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK。您可以下载VS-12TQ045STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-12TQ045STRRHM3,带引脚细节,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,包装箱如数据表注释所示,用于to-263-3、D2Pak(2引线+标签)、to-263AB,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于D2Pak、,该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为1.75mA@45V,该器件提供560mV@15A电压正向Vf Max If,该器件具有45V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为15A,电容Vr F为900pF@5V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
VS-12TQ045STRLPBF是DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK,包括560mV@15A电压正向Vf Max。如果它们设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包,该设备包提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,以及TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为肖特基二极管类型,该器件具有1.75mA@45V的反向电流泄漏Vr,电流平均整流Io为15A,电容Vr F为900pF@5V,1MHz。
VS-12TQ045STRR-M3,带电路图,包括900pF@5V、1MHz电容Vr F,它们设计用于15A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于1.75mA@45V,提供肖特基等二极管型功能,安装型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒。此外,该包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的D2PAK,电压DC反向Vr Max为45V,电压正向Vf Max If为560mV@15A。