9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S5GHE3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S5GHE3/9AT参考价格为0.434美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S5GHE3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB。您可以下载S5GHE3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S5G-E3/9AT是DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计为适用于DO-214AB、SMC以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.15V@5A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为5 A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2500ns。
S5G-E3/57T是DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB，包括400 V Vr反向电压，它们设计用于在1.15V@5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.15 V正向电压功能，单位重量设计用于0.010582盎司，以及DO-214AB（SMC）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2.5μs，该器件的恢复时间为2500 ns，该器件具有标准的产品恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@400V，电流平均整流Io为5A，配置为单一，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
S5GHE3/57T是DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB，包括40pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供2.5μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.15V@5A。
