9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GB10SLT12-252，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GB10SLT12-252参考价格0.52美元。GeneSiC半导体GB10SLT12-252包装/规格：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252。您可以下载GB10SLT12-252英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GB10SLT12-220是DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC，包括GB10SLT12系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.081130盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-2封装盒，该器件也可以用作SiC技术。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-220AC供应商器件包中提供，该器件的速度无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为40μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.8V@10A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为10A，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为520pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，Pd功耗为42W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.9 V，Ir反向电流为52 uA，Ifsm正向浪涌电流为65A，trr反向恢复时间为25ns。
GB10SLT12-247D和用户指南，包括1.2 kV Vrm重复反向电压，它们设计为在1.6 V Vf正向电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供SiC等技术特性，产品设计用于肖特基碳化硅二极管，以及234 W Pd功耗，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-247-3，该设备采用通孔安装方式，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，Ifsm正向浪涌电流为32 A，Ifs正向电流为24 A，配置为单体。
GB10SLT12-247是肖特基二极管和整流器1200V 10A SiC肖特基整流器，包括散装封装，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，系列如数据表注释所示，用于GB10SLT12，提供SiC等技术特性。
