9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS32HE3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS32HE3/57T参考价格为0.464美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS32HE3/57T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB。您可以下载SS32HE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS32-E3/9AT是DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB，包括SS3x系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如SS32-E3/57T，单位重量设计为0.010582盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AB、SMC包装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有DO-214AB，（SMC）供应商器件封装，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@220V，电压正向Vf Max If为500mV@3A，电压反向Vr Max为20V，电流平均整流Io为3A，其工作温度结范围为-55°C~125°C，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.5 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为3 A，Vrm重复反向电压为20 V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
SS32-E3/57T是DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB，包括20 V Vrm重复反向电压，它们设计为在500 V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于20V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.5 V的正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为SS3x系列，该设备具有肖特基整流器产品，零件别名为MBRS320TRPBF，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~125°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为500 uA，Ifsm正向浪涌电流为100 A，如果正向电流为3 A，二极管类型为肖特基，反向泄漏电流Vr为500μA@220V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
SS32F，电路图由CROWNPO制造。SS32F采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
