9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS33HE3/57T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SS33HE3/57T参考价格为0.596美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS33HE3/57T封装/规格:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB。您可以下载SS33HE3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS33-E3/57T是DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB,包括SS3x系列,它们设计用于肖特基整流器产品,包装如数据表说明所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供SS33-E3/9AT等零件别名功能,单位重量设计为0.010582盎司,以及SMD/SMT安装样式,该装置也可以用作DO-214AB、SMC包装盒。此外,该技术为Si,该器件为表面安装安装型,该器件具有DO-214AB(SMC)供应商器件封装,配置为单一,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为500μa@30V,电压正向Vf Max If为500mV@3A,电压反向Vr Max为30V,电流平均整流Io为3A,其工作温度结范围为-55°C~125°C,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为0.5 V,Ir反向电流为500 uA,如果正向电流为3 A,Vrm重复反向电压为30 V,Ifsm正向浪涌电流为100A。
SS33-E3/9AT是DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB,包括30 V Vrm重复反向电压,它们设计为在500 V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max,其提供了0.5 V等Vf正向电压特性,单位重量设计为0.010582盎司,以及Si技术,该设备也可以用作DO-214AB(SMC)供应商设备包。此外,速度为快速恢复=20mA(Io),该设备为SS3x系列,该设备具有肖特基整流器产品,零件别名为SS33-E3/57T,包装为胶带和卷轴(TR),包装箱为DO-214AB,SMC,其工作温度结范围为-55°C~125°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,它的最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+125℃,Ir反向电流为500 uA,Ifsm正向浪涌电流为100 A,如果正向电流为3 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为500μA@30V,电流平均整流Io为3A,配置为单一。
SS33-E3/9CT,带有VISHAY制造的电路图。SS33-E3/9CT采用SMC封装,是IC芯片的一部分。